SSS1206 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSS1206
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 141 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO220
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SSS1206 datasheet
sss1206h.pdf
SSS1206H Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper
sss12n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V 39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS
Otros transistores... SSF5NS70G, SSF5NS70D, SSF5NS70F, SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, IRF530, SSS1206H, SSS1510, SSF11NS65UF, SSF6005, SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A
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Liste
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