SSS1206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSS1206
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 141 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSS1206

SSS1206 Datasheet (PDF)

..1. Size:491K silikron
sss1206.pdf

SSS1206 Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4m (typ.) ID 180A Mar ki ng a nd p in Schema tic diagra m TO-220 Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

0.1. Size:337K silikron
sss1206h.pdf

SSS1206HMain Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper

9.1. Size:8243K shenzhen
sss12n60.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

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History: IXTX22N100L

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: