SSS1206H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSS1206H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO247

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SSS1206H datasheet

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SSS1206H

SSS1206H Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper

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SSS1206H

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SSS1206H

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V 39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

Otros transistores... SSF5NS70D, SSF5NS70F, SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, SSS1206, CS150N03A8, SSS1510, SSF11NS65UF, SSF6005, SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014