SSS1206H Todos los transistores

 

SSS1206H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSS1206H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SSS1206H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  silikron
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SSS1206H

SSS1206HMain Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper

 7.1. Size:491K  silikron
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SSS1206H

SSS1206 Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4m (typ.) ID 180A Mar ki ng a nd p in Schema tic diagra m TO-220 Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 9.1. Size:8243K  shenzhen
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SSS1206H

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

Otros transistores... SSF5NS70D , SSF5NS70F , SSF5NS70GB , SSF5NS70UF , SSF5NS70UG , SSS1004 , SSS1004A7 , SSS1206 , IRLB4132 , SSS1510 , SSF11NS65UF , SSF6005 , SSF6007 , SSF6008 , SSF6010 , SSF6010A , SSF6014 .

History: 2N60P | IRF7703PBF | SI7N65F

 

 
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