SSS1206H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS1206H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SSS1206H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS1206H даташит

 ..1. Size:337K  silikron
 sss1206h.pdf pdf_icon

SSS1206H

SSS1206H Main Product Characteristics VDSS 120V RDS(on) 4.7m (typ.) ID 180A Marking and pin TO-247 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 oper

 7.1. Size:491K  silikron
 sss1206.pdf pdf_icon

SSS1206H

 9.1. Size:8243K  shenzhen
 sss12n60.pdf pdf_icon

SSS1206H

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS12N60 N N-CHANNEL MOSFET Package MAIN CHARACTERISTICS 12 A ID 600 V VDSS Rdson 0.65 @Vgs=10V 39nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

Другие IGBT... SSF5NS70D, SSF5NS70F, SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, SSS1206, CS150N03A8, SSS1510, SSF11NS65UF, SSF6005, SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014