SSF11NS65UF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF11NS65UF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SSF11NS65UF datasheet

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SSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

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SSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

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SSF11NS65UF

SSF11NS65UD Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.33 (typ.) ID 11A Marking and Pin TO-252 (DPAK) S che mati c Diag r am Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UD series MOSFETs is a new techno

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SSF11NS65UF

SSF11NS65U Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220 S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65U series MOSFETs is a new te

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