SSF11NS65UF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF11NS65UF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSF11NS65UF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF11NS65UF даташит

 ..1. Size:495K  silikron
 ssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 0.1. Size:434K  silikron
 sssf11ns65uf.pdf pdf_icon

SSF11NS65UF

SSF11NS65UF Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220F S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UF series MOSFETs is a new

 4.1. Size:472K  silikron
 ssf11ns65ud.pdf pdf_icon

SSF11NS65UF

SSF11NS65UD Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.33 (typ.) ID 11A Marking and Pin TO-252 (DPAK) S che mati c Diag r am Assignment Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65UD series MOSFETs is a new techno

 4.2. Size:479K  silikron
 ssf11ns65u.pdf pdf_icon

SSF11NS65UF

SSF11NS65U Main Product Characteristics VDSS 650V RDS(on) 0.32 (typ.) ID 11A Marking and pin TO-220 S che mati c di ag ra m Assignment Features and Benefits Feathers High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF11NS65U series MOSFETs is a new te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF5NS70GB, SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, SSS1206, SSS1206H, SSS1510, AON7506, SSF6005, SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014, SSF6014A, SSF6014D