SSF6005 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSF6005 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6005

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 765 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: TO220

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SSF6005 datasheet

..1. Size:339K silikron
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SSF6005 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 2.7m (typ.) ID 160A Marking and pin TO-220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o

8.1. Size:503K silikron
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SSF6007 Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

8.2. Size:597K silikron
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SSF6008 Feathers ID =84A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=8m Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF6008 is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical parameter

8.3. Size:370K goodark
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SSF6007 50V P-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Mark in g a nd P i n Sc hema t ic D i a gra m SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and genera

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