SSF6005. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF6005

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 765 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSF6005

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6005 даташит

 ..1. Size:339K  silikron
 ssf6005.pdf pdf_icon

SSF6005

SSF6005 Main Product Characteristics VDSS 60V RDS(on) 2.7m (typ.) ID 160A Marking and pin TO-220 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o

 8.1. Size:503K  silikron
 ssf6007.pdf pdf_icon

SSF6005

SSF6007 Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

 8.2. Size:597K  silikron
 ssf6008.pdf pdf_icon

SSF6005

SSF6008 Feathers ID =84A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=8m Fully characterized avalanche voltage and current Description The SSF6008 is a new generation of high voltage and low current N Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical parameter

 8.3. Size:370K  goodark
 ssf6007.pdf pdf_icon

SSF6005

SSF6007 50V P-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS -50V 6007 6007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Mark in g a nd P i n Sc hema t ic D i a gra m SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and genera

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSF5NS70UF, SSF5NS70UG, SSS1004, SSS1004A7, SSS1206, SSS1206H, SSS1510, SSF11NS65UF, STP80NF70, SSF6007, SSF6008, SSF6010, SSF6010A, SSF6014, SSF6014A, SSF6014D, SSF6014J7