Справочник MOSFET. SSF6005

 

SSF6005 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF6005
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 765 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SSF6005

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF6005 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  silikron
ssf6005.pdfpdf_icon

SSF6005

SSF6005Main Product Characteristics: VDSS 60V RDS(on) 2.7m(typ.) ID 160AMarking and pin TO-220Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 175 o

 8.1. Size:503K  silikron
ssf6007.pdfpdf_icon

SSF6005

SSF6007 Main Product Characteristics: VDSS -50V 60076007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Marking and p in Schematic dia gram SOT-23 Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and general purpose applications Ultra l

 8.2. Size:597K  silikron
ssf6008.pdfpdf_icon

SSF6005

SSF6008 Feathers: ID =84A Advanced trench process technology BV=60V avalanche energy, 100% test Rdson=8m Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF6008 is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical parameter

 8.3. Size:370K  goodark
ssf6007.pdfpdf_icon

SSF6005

SSF6007 50V P-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS -50V 60076007 RDS(on) 2.1ohm(typ.) ID -130mA Mark in g a nd P i n Sc hema t ic D i a gra m SOT-23 Assignment Features and Benefits Advanced trench MOSFET process technology Special designed for Line current interrupter in telephone sets, Relay, high speed and line transformer drivers and genera

Другие MOSFET... SSF5NS70UF , SSF5NS70UG , SSS1004 , SSS1004A7 , SSS1206 , SSS1206H , SSS1510 , SSF11NS65UF , 20N50 , SSF6007 , SSF6008 , SSF6010 , SSF6010A , SSF6014 , SSF6014A , SSF6014D , SSF6014J7 .

History: SSD70N04-06D | WMQ25P04T1 | SWU10N70D

 

 
Back to Top

 


 
.