SSF6646 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF6646
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
SSF6646 Datasheet (PDF)
ssf6646.pdf

SSF6646 DESCRIPTION The SSF6646 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =4.5A R
ssf6670.pdf

SSF6670 DESCRIPTION The SSF6670 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 60V,ID =3.5A R
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 3N60 | AP9920GEO | STD15N65M5 | APT20M120JCU3 | SRT10N230LD56 | STD16NF25 | AP9402AGYT-HF
History: 3N60 | AP9920GEO | STD15N65M5 | APT20M120JCU3 | SRT10N230LD56 | STD16NF25 | AP9402AGYT-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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