SSF6N80F MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSF6N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF6N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 81 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SSF6N80F datasheet

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7.1. Size:263K 1
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SSF6N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.472 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Cha

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SSF6N80G Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 2.35 (typ.) ID 5.5A Marking and p in TO-251 (IPAK) Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recov

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