SSPL7510 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSPL7510
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 518 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSPL7510

SSPL7510 Datasheet (PDF)

..1. Size:642K silikron
sspl7510.pdf

SSPL7510 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 9.5m(typ.) ID 75A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

8.1. Size:643K silikron
sspl7509.pdf

SSPL7509 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 7.2mohm(typ.) ID 75A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

8.2. Size:645K silikron
sspl7508.pdf

SSPL7508 Main Product Characteristics: VDSS 75V RDS(on) 6.25mohm(typ.) ID 120A Mar ki ng a nd p in Sc hemat ic d ia gr am TO220 Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

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Liste

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