SSF8810 Todos los transistores

 

SSF8810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF8810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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SSF8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  silikron
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SSF8810

SSF8810 Main Product Characteristics: VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description: Th

 9.1. Size:304K  silikron
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SSF8810

SSF8822 D1D2DESCRIPTION The SSF8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G1 G2with gate voltages as low as 0.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, S1 S2facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin Assignment GENERAL FEATURES V = 20V,I = 7A DS

Otros transistores... SSF80100 , SSF8205 , SSF8205A , SSF8205U , SSF8205UH2 , SSF8421 , SSF8509 , SSF8521 , IRF4905 , SSF8822 , SSF8N60 , SSF8N65 , SSF8N80 , SSF8N80F , SSF8N80ZH , SSF8NP60U , SSF9435 .

History: IRLZ44SPBF | NCE2305 | SI6562CDQ

 

 
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