SSF8810 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSF8810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF8810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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SSF8810 datasheet

..1. Size:534K silikron
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SSF8810 Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 14m (typ.) ID 8A Marking and pin TSSOP-8 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Ultra low on-resistance with low gate charge High Power and current handing capability 150 operating temperature G/S ESD protect 2KV (HBM) Description Th

9.1. Size:304K silikron
ssf8822.pdf pdf_icon

SSF8822 D1 D2 DESCRIPTION The SSF8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G1 G2 with gate voltages as low as 0.8V. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, S1 S2 facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin Assignment GENERAL FEATURES V = 20V,I = 7A DS

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