SSFD3004 Todos los transistores

 

SSFD3004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSFD3004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252E-2-M
 

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SSFD3004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  silikron
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SSFD3004

SSFD3004DDESCRIPTION The SSFD3004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =55A RDS(ON)

 7.1. Size:668K  silikron
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SSFD3004

SSFD3006 Main Product Characteristics: VDSS 30V SSF3612DSSF3612DSSF3612DSSF3612DSSFD3006SSFD3006 RDS(on) 3.8m (typ.) ID 90A TO-252 (D-PAK)Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance wi

 7.2. Size:222K  silikron
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SSFD3004

SSFD3005DDESCRIPTION The SSFD3005 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS =- 30V,ID =-10A RDS(ON)

Otros transistores... SSF8N80F , SSF8N80ZH , SSF8NP60U , SSF9435 , SSF9926 , SSF9N90ZH , SSFK3204 , SSFK3208 , IRF530 , SSFD3005 , SSFD3006 , SSFD4004 , SSFD4024 , SSFD6035 , SSFD6046 , SSFM1022 , SSFM2506 .

History: SRT04N016L | IPLU300N04S4-R8

 

 
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