SSFN2220 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSFN2220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFN2220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1000 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-8L

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SSFN2220 datasheet

..1. Size:184K silikron
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SSFN2220 DESCRIPTION The SSFN2220 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

8.1. Size:234K silikron
ssfn2269.pdf pdf_icon

SSFN2269 DESCRIPTION The SSFN2269 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID =-3.3A Schematic diagram RDS(ON)

9.1. Size:202K silikron
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SSFN2316E GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6.5A RDS(ON)

9.2. Size:496K silikron
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SSFN2569 Main Product Characteristics D1 D2 VDSS -20V G1 G2 RDS(on) 55m (typ.) S1 S2 ID -3.4A DFN 3x2-8L Schemat ic diagram Bottom View Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

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