SSFN2316E Todos los transistores

 

SSFN2316E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSFN2316E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: GEM2928-8L

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SSFN2316E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  silikron
ssfn2316e.pdf

SSFN2316E
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SSFN2316E GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6.5A RDS(ON)

 9.1. Size:184K  silikron
ssfn2220.pdf

SSFN2316E
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SSFN2220DESCRIPTION The SSFN2220 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

 9.2. Size:234K  silikron
ssfn2269.pdf

SSFN2316E
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SSFN2269DESCRIPTION The SSFN2269 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID =-3.3A Schematic diagram RDS(ON)

 9.3. Size:496K  silikron
ssfn2569.pdf

SSFN2316E
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SSFN2569 Main Product Characteristics: D1D2VDSS -20V G1 G2 RDS(on) 55m (typ.) S1 S2ID -3.4A DFN 3x2-8L Schemat ic diagram Bottom View Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

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