SSFN2316E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSFN2316E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: GEM2928-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSFN2316E
SSFN2316E Datasheet (PDF)
ssfn2220.pdf
SSFN2220DESCRIPTION The SSFN2220 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)
ssfn2269.pdf
SSFN2269DESCRIPTION The SSFN2269 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID =-3.3A Schematic diagram RDS(ON)
ssfn2569.pdf
SSFN2569 Main Product Characteristics: D1D2VDSS -20V G1 G2 RDS(on) 55m (typ.) S1 S2ID -3.4A DFN 3x2-8L Schemat ic diagram Bottom View Features and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec
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