SSFN2316E MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSFN2316E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSFN2316E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: GEM2928-8L

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SSFN2316E datasheet

..1. Size:202K silikron
ssfn2316e.pdf pdf_icon

SSFN2316E GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6.5A RDS(ON)

9.1. Size:184K silikron
ssfn2220.pdf pdf_icon

SSFN2220 DESCRIPTION The SSFN2220 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A RDS(ON)

9.2. Size:234K silikron
ssfn2269.pdf pdf_icon

SSFN2269 DESCRIPTION The SSFN2269 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID =-3.3A Schematic diagram RDS(ON)

9.3. Size:496K silikron
ssfn2569.pdf pdf_icon

SSFN2569 Main Product Characteristics D1 D2 VDSS -20V G1 G2 RDS(on) 55m (typ.) S1 S2 ID -3.4A DFN 3x2-8L Schemat ic diagram Bottom View Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body rec

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