MMFTN20 Todos los transistores

 

MMFTN20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFTN20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 1.8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: TO236

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MMFTN20 datasheet

 ..1. Size:154K  semtech
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MMFTN20

MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor Features High-speed switching No secondary breakdown Applications Thin and thick film circuits 1. Gate 2. Source 3. Drain General purpose fast switching applications TO-236 Plastic Package Drain Gate Source O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit

 8.1. Size:236K  semtech
mmftn2306.pdf pdf_icon

MMFTN20

MMFTN2306 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 30 V Drain-Gate Voltage VGS 12 V Drain Current - Continuous ID 5 A

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MMFTN20

MMFTN2302 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Drain-Gate Voltage VGS 8 V Drain Current - Continuous ID 2.4 A

 8.3. Size:640K  semtech
mmftn290e.pdf pdf_icon

MMFTN20

MMFTN290E N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Drain Very fast switching ESD protected up to 2 KV Gate Source Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 8 V Drain Current VGS = 4.5 V, TA = 25 700 1) ID mA 440 1) VGS = 4.5 V, TA = 100 Peak Drain Current (tp 10 s) IDM 2.8 A S

Otros transistores... MMBT7002E , MMBT7002K , MMBT7002KW , MMBT7002VW , MMBT7002W , MMFTN123 , MMFTN138 , MMFTN170 , IRFP064N , MMFTN2302 , MMFTN2306 , MMFTN290E , MMFTN3018W , MMFTN3019E , MMFTN3406 , MMFTN501 , MMFTP84W .

 

 

 


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