Справочник MOSFET. MMFTN20

 

MMFTN20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMFTN20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO236

 Аналог (замена) для MMFTN20

 

 

MMFTN20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  semtech
 mmftn20.pdf

MMFTN20 MMFTN20

MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor Features High-speed switching No secondary breakdown Applications Thin and thick film circuits 1. Gate 2. Source 3. Drain General purpose fast switching applications TO-236 Plastic Package DrainGate SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit

 8.1. Size:236K  semtech
 mmftn2306.pdf

MMFTN20 MMFTN20

MMFTN2306 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 30 VDrain-Gate Voltage VGS 12 VDrain Current - Continuous ID 5 A

 8.2. Size:377K  semtech
 mmftn2302.pdf

MMFTN20 MMFTN20

MMFTN2302 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 20 VDrain-Gate Voltage VGS 8 VDrain Current - Continuous ID 2.4 A

 8.3. Size:640K  semtech
 mmftn290e.pdf

MMFTN20 MMFTN20

MMFTN290E N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Drain Very fast switching ESD protected up to 2 KV Gate SourceAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 8 VDrain Current VGS = 4.5 V, TA = 25 700 1) ID mA 440 1) VGS = 4.5 V, TA = 100Peak Drain Current (tp 10 s) IDM 2.8 AS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMJ07N100C2

 

 
Back to Top