Справочник MOSFET. MMFTN20

 

MMFTN20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMFTN20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 1.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO236
 

 Аналог (замена) для MMFTN20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMFTN20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  semtech
mmftn20.pdfpdf_icon

MMFTN20

MMFTN20 N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor Features High-speed switching No secondary breakdown Applications Thin and thick film circuits 1. Gate 2. Source 3. Drain General purpose fast switching applications TO-236 Plastic Package DrainGate SourceOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit

 8.1. Size:236K  semtech
mmftn2306.pdfpdf_icon

MMFTN20

MMFTN2306 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 30 VDrain-Gate Voltage VGS 12 VDrain Current - Continuous ID 5 A

 8.2. Size:377K  semtech
mmftn2302.pdfpdf_icon

MMFTN20

MMFTN2302 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for high power and current handing capability 1. Gate 2. Source 3. DrainTO-236 Plastic Package DrainGate SourceAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDSS 20 VDrain-Gate Voltage VGS 8 VDrain Current - Continuous ID 2.4 A

 8.3. Size:640K  semtech
mmftn290e.pdfpdf_icon

MMFTN20

MMFTN290E N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Drain Very fast switching ESD protected up to 2 KV Gate SourceAbsolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-Source Voltage VGS 8 VDrain Current VGS = 4.5 V, TA = 25 700 1) ID mA 440 1) VGS = 4.5 V, TA = 100Peak Drain Current (tp 10 s) IDM 2.8 AS

Другие MOSFET... MMBT7002E , MMBT7002K , MMBT7002KW , MMBT7002VW , MMBT7002W , MMFTN123 , MMFTN138 , MMFTN170 , 5N50 , MMFTN2302 , MMFTN2306 , MMFTN290E , MMFTN3018W , MMFTN3019E , MMFTN3406 , MMFTN501 , MMFTP84W .

History: SSG4410N | DMTH8003SPS-13 | SSG4492N

 

 
Back to Top

 


 
.