MMFTN138W Todos los transistores

 

MMFTN138W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMFTN138W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SOT323

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MMFTN138W datasheet

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MMFTN138W

MMFTN138W N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. Drain SOT-323 Plastic Package Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 50 V Drain-Gate Voltage (RGS 20 K ) VDGR 50 V Gate-Source V

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MMFTN138W

MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor for low voltage, low current switching applications 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Drain Gate Source O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 50 V Drain-Gate Voltage (RGS 20 K ) VDGR 50 V Gate-Source

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MMFTN138W

MMFTN123 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 1. Gate 2. Source 3. Drain TO-236 Plastic Package Drain Gate Source O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 100 V Gate-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current ID 170 mA Peak Drain Current IDM 680 mA Total Power Dissipation P

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MMFTN138W

MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Feature Voltage controlled small signal switch Drain High saturation current capability Gate 1. Gate 2. Source 3. Drain Source TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDSS 60 V Drain-Gate Voltage (RGS 1 M ) VDGR 60 V V Gate-Source

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History: SM4913TSK

 

 

 

 

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