SST213 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST213
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 10 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
Paquete / Cubierta: TO253
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST213
SST213 Datasheet (PDF)
sd211de sd213de sd215de sst211 sst213 sst215.pdf
SD-SST211/213/215N-CHANNEL LATERALDMOS SWITCHLinear Integrated Systems ZENER PROTECTEDProduct SummaryFeatures Benefits Applications Ultra-High Speed SwitchingtON: 1 ns High-Speed System Performance Fast Analog Switch Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF Low Insertion Loss at High Frequencies Fast Sample-and-Holds Low Guaranteed rDS @5 V Low Trans
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918