SST213 Todos los transistores

 

SST213 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SST213
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO253
 

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SST213 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  linear-systems
 sd211de sd213de sd215de sst211 sst213 sst215.pdf pdf_icon

SST213

SD-SST211/213/215N-CHANNEL LATERALDMOS SWITCHLinear Integrated Systems ZENER PROTECTEDProduct SummaryFeatures Benefits Applications Ultra-High Speed SwitchingtON: 1 ns High-Speed System Performance Fast Analog Switch Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF Low Insertion Loss at High Frequencies Fast Sample-and-Holds Low Guaranteed rDS @5 V Low Trans

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History: CHM3055ZGP | WMJ28N65F2 | 2SK2908-01L | IPZA60R045P7 | 30N06L-TF1-T | NCE25P60K | CHM2316GP

 

 
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