Справочник MOSFET. SST213

 

SST213 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SST213
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 10 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO253
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SST213 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  linear-systems
 sd211de sd213de sd215de sst211 sst213 sst215.pdf pdf_icon

SST213

SD-SST211/213/215N-CHANNEL LATERALDMOS SWITCHLinear Integrated Systems ZENER PROTECTEDProduct SummaryFeatures Benefits Applications Ultra-High Speed SwitchingtON: 1 ns High-Speed System Performance Fast Analog Switch Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF Low Insertion Loss at High Frequencies Fast Sample-and-Holds Low Guaranteed rDS @5 V Low Trans

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SIZ790DT | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | IRF8852PBF | AP2614GY-HF | FMI05N60E | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.