SST215 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST215
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
Paquete / Cubierta: TO253
Búsqueda de reemplazo de SST215 MOSFET
SST215 Datasheet (PDF)
sd211de sd213de sd215de sst211 sst213 sst215.pdf

SD-SST211/213/215N-CHANNEL LATERALDMOS SWITCHLinear Integrated Systems ZENER PROTECTEDProduct SummaryFeatures Benefits Applications Ultra-High Speed SwitchingtON: 1 ns High-Speed System Performance Fast Analog Switch Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF Low Insertion Loss at High Frequencies Fast Sample-and-Holds Low Guaranteed rDS @5 V Low Trans
Otros transistores... MMFTN138W , 2SK2876-01MR , 2SK1356 , SD211DE , SD213DE , SD215DE , SST211 , SST213 , 10N60 , 2SK3645-01MR , 2SK2663 , 2SK2077 , 2SK1488 , 2SK606 , 2SJ646 , 2SJ169 , 2SJ170 .
History: 2SK1287 | IRF9610PBF | STP14NK60ZFP | BRD4N65S
History: 2SK1287 | IRF9610PBF | STP14NK60ZFP | BRD4N65S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet