L1N60 Todos los transistores

 

L1N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: L1N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm

Encapsulados: TO252 TO251

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L1N60 datasheet

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L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET L1N60 1.2 Amps, 600 Volts N Channel The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1 TO- 251 characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli

 0.1. Size:212K  lrc
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L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L1N60 1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 1 2 3 TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1 charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 2 3 TO-220F-3L characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

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History: WSP4812 | WSP4445 | ZXMHC6A07T8

 

 

 


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