L1N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

L1N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: L1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для L1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  lrc
 l1n60.pdf pdf_icon

L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFETL1N601.2 Amps, 600 Volts NChannelThe LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO- 251characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli

 0.1. Size:212K  lrc
 l1n60a l1n60f l1n60i.pdf pdf_icon

L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L1N601.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 123TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 23 TO-220F-3Lcharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

Другие MOSFET... FTA06N65 , FTP10N60C , FTA10N60C , FTP11N08 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , IRF1407 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 .

History: ATP218 | SPB80N03S2-03 | FTP22N06B | JMSH2010PTL | IRLL024N | L75N75 | CTP06N6P8

 

 
Back to Top

 


 
.