Справочник MOSFET. L1N60

 

L1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: L1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252 TO251
 

 Аналог (замена) для L1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  lrc
 l1n60.pdf pdf_icon

L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFETL1N601.2 Amps, 600 Volts NChannelThe LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO- 251characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli

 0.1. Size:212K  lrc
 l1n60a l1n60f l1n60i.pdf pdf_icon

L1N60

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L1N601.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 123TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 23 TO-220F-3Lcharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw

Другие MOSFET... FTA06N65 , FTP10N60C , FTA10N60C , FTP11N08 , FTP18N06 , FTP18N06N , FTP22N06B , FTU01N60C , IRF1407 , L2N600 , L4N60 , L75N75 , LIRFZ44N , SPI80N03S2-03 , SPP80N03S2-03 , SPB80N03S2-03 , STP80NF70 .

 

 
Back to Top

 


 
.