L1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: L1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 11.5 Ohm
Тип корпуса: TO252 TO251
L1N60 Datasheet (PDF)
l1n60.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFETL1N601.2 Amps, 600 Volts NChannelThe LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 1TO- 251characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power suppli
l1n60a l1n60f l1n60i.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L1N601.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET 123TO-251-3L DESCRIPTION The LRC L1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate 1charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche 23 TO-220F-3Lcharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speed sw
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
