P0425AI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0425AI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO251
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P0425AI datasheet
p0425ai.pdf
P0425AI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 0.8 @VGS = 10V 4A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 3 A IDM 16 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4 EAS Av
p0425ad.pdf
P0425AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.8 @VGS = 10V 250V 4A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 3 A IDM 16 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4 EAS A
Otros transistores... P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , P0420AI , P0425AD , RU7088R , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB .
History: MCAC16N03-TP
History: MCAC16N03-TP
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