P0425AI Todos los transistores

 

P0425AI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0425AI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de P0425AI MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P0425AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  unikc
 p0425ai.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID250V 0.8 @VGS = 10V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASAv

 8.1. Size:784K  unikc
 p0425ad.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.8 @VGS = 10V250V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASA

Otros transistores... P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , P0420AI , P0425AD , MMD60R360PRH , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB .

History: UTC654 | SVF13N50S | AM30N08-80D | IPB015N08N5 | CS8N65F | AON7702B

 

 
Back to Top

 


 
.