P0425AI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0425AI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0425AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0425AI даташит

 ..1. Size:301K  unikc
 p0425ai.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425AI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 250V 0.8 @VGS = 10V 4A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 3 A IDM 16 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4 EAS Av

 8.1. Size:784K  unikc
 p0425ad.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.8 @VGS = 10V 250V 4A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 3 A IDM 16 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 4 EAS A

Другие IGBT... P0403BDA, P0403BDG, P0403BT, P0403BV, P0403BVG, P0420AD, P0420AI, P0425AD, 3401, P7004EM, P7004EV, P7006BL, P7502CMG, P7503BMG, P75N02LDG, PZP003BYB, PZP103BYB