Справочник MOSFET. P0425AI

 

P0425AI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0425AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для P0425AI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0425AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  unikc
 p0425ai.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID250V 0.8 @VGS = 10V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASAv

 8.1. Size:784K  unikc
 p0425ad.pdf pdf_icon

P0425AI

P0425ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.8 @VGS = 10V250V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASA

Другие MOSFET... P0403BDA , P0403BDG , P0403BT , P0403BV , P0403BVG , P0420AD , P0420AI , P0425AD , MMD60R360PRH , P7004EM , P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB .

 

 
Back to Top

 


 
.