P0425AI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0425AI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 210 ns
Выходная емкость (Cd): 72 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
P0425AI Datasheet (PDF)
p0425ai.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P0425AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID250V 0.8 @VGS = 10V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASAv
p0425ad.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
P0425ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.8 @VGS = 10V250V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C4IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C3AIDM16Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 4EASA
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .