TD357EG Todos los transistores

 

TD357EG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TD357EG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 257 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TD357EG Datasheet (PDF)

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TD357EG

TD357EGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID6m @VGS = 10V30V 74ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C74IDContinuous Drain Current2TC = 100 C44AIDM130Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 35EA

Otros transistores... P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , IRF740 , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD .

History: CES2302 | 2SK1330 | BLP075N10G-P | SVG103R0NKL | AP50T10GP | BSH111 | AOB125A60L

 

 
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