TD357EG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TD357EG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 257 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TO252
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TD357EG datasheet
td357eg.pdf
TD357EG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 6m @VGS = 10V 30V 74A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 74 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 44 A IDM 130 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 35 EA
Otros transistores... P7004EV , P7006BL , P7502CMG , P7503BMG , P75N02LDG , PZP003BYB , PZP103BYB , TD304BH , IRF740 , TD381BA , TD422BL , P4506BD , P4506BV , P45N02LDG , P45N02LI , P45N03LTFG , P0460AD .
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