TD381BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TD381BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 24.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TD381BA
TD381BA Datasheet (PDF)
td381ba.pdf
TD381BAN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.8m @VGS = 10V30V 52ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C52IDContinuous Drain Current2TC = 100 C32AIDM120Pulsed Drain Current1,2IASAvalanch
ntd3813n-1g.pdf
NTD3813NPower MOSFET16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices8.75 mW @ 10 V16 V51 AApplications
ntd3817n-1g.pdf
NTD3817NPower MOSFET16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices13.9 mW @ 10 V16 V34.5 AApplicat
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Liste
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