P0460AI Todos los transistores

 

P0460AI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0460AI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO251

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P0460AI datasheet

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P0460AI

P0460AI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 @VGS = 10V 600V 4A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.4 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

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P0460AI

P0460AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2 @VGS = 10V 600V 4A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.4 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

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P0460AI

P0460ATF(S) N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 2 @VGS = 10V 4A TO-220F TO-220FS 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 A C 2.5 I

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 p0460as-t.pdf pdf_icon

P0460AI

P0460AS / P0460AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 600V 2 @VGS = 10V 4A TO-263 TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 600 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 2.5 A IDM 20 Pulse

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