Справочник MOSFET. P0460AI

 

P0460AI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0460AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для P0460AI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  unikc
p0460ai.pdfpdf_icon

P0460AI

P0460AIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:441K  unikc
p0460ad.pdfpdf_icon

P0460AI

P0460ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 8.2. Size:518K  unikc
p0460atf-s.pdfpdf_icon

P0460AI

P0460ATF(S)N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4ATO-220F TO-220FS 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC2.5I

 8.3. Size:437K  unikc
p0460as-t.pdfpdf_icon

P0460AI

P0460AS / P0460ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID600V 2 @VGS = 10V 4A TO-263 TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulse

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.