P0550ETFS Todos los transistores

 

P0550ETFS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0550ETFS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm

Encapsulados: TO220FS

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P0550ETFS datasheet

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P0550ETFS

P0550ETF / P0550ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.55 @VGS = 10V 500V 5A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 5 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 3.2 A IDM

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P0550ETFS

P0550ED N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.55 @VGS = 10V 500V 5A TO-252 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 5 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 3.2 A IDM 20 Pu

 8.2. Size:825K  unikc
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P0550ETFS

P0550EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.55 @VGS = 10V 500V 5A TO-251 100% UIS tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 5 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 3.2 A IDM 20 Pu

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