P0550ETFS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: P0550ETFS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 71 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO220FS
P0550ETFS Datasheet (PDF)
p0550etf-s.pdf
P0550ETF / P0550ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.55 @VGS = 10V500V 5ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C5IDContinuous Drain Current2TC = 100 C3.2AIDM
p0550ed.pdf
P0550EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.55 @VGS = 10V500V 5ATO-252100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C5IDContinuous Drain Current2TC = 100 C3.2AIDM20Pu
p0550ei.pdf
P0550EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.55 @VGS = 10V500V 5ATO-251100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C5IDContinuous Drain Current2TC = 100 C3.2AIDM20Pu
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
