PZC502FYB Todos los transistores

 

PZC502FYB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZC502FYB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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PZC502FYB Datasheet (PDF)

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PZC502FYB

PZC502FYBP-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID-20V 550m @VGS = -4.5V -0.7ASOT-523ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage -20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C-0.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC-0.6IDM-3Pulsed Drain

Otros transistores... P0550ATF , P0550BD , P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , IRF4905 , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA .

History: AP9566GM | 2SK1846 | IPB057N06N | PJF4NA65 | TSM3460CX6 | SI8465DB | CST08N50D

 

 
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