PZD502CYB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PZD502CYB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PZD502CYB

PZD502CYB Datasheet (PDF)

..1. Size:539K unikc
pzd502cyb.pdf

PZD502CYBN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID20V 450m @VGS = 4.5V 0.7ASOT-523ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C0.7IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.6IDM2Pulsed

..2. Size:143K niko-sem
pzd502cyb.pdf

PZD502CYB N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM SOT-523 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 450m 0.7A 1. GATE 2. DRAIN ESD Protected Gate 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source

7.1. Size:415K unikc
pzd502cma.pdf

PZD502CMAN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID450m @VGS = 4.5V20V 1ASOT-23 (S)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 20VVGSGate-Source Voltage 8TA = 25 C1IDContinuous Drain CurrentTA = 70 AC0.7IDM5Pulsed

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Liste

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