PZD502CYB Todos los transistores

 

PZD502CYB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PZD502CYB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: SOT523

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PZD502CYB datasheet

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PZD502CYB

PZD502CYB N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 450m @VGS = 4.5V 0.7A SOT-523 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 0.7 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.6 IDM 2 Pulsed

 ..2. Size:143K  niko-sem
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PZD502CYB

PZD502CYB N-Channel Logic Level Enhancement NIKO-SEM SOT-523 Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 450m 0.7A 1. GATE 2. DRAIN ESD Protected Gate 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source

 7.1. Size:415K  unikc
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PZD502CYB

PZD502CMA N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 450m @VGS = 4.5V 20V 1A SOT-23 (S) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage 8 TA = 25 C 1 ID Continuous Drain Current TA = 70 A C 0.7 IDM 5 Pulsed

Otros transistores... P0550BT , P0550ED , P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , IRFB3607 , PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA .

 

 

 


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