PT542BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT542BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 647 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO220
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PT542BA datasheet
pt542ba.pdf
PT542BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 4m @VGS = 10V 40V 135A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 135 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 85 A IDM 200 Pulsed Drain Current1
Otros transistores... P0550EI , P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , IRF530 , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA .
History: IXFH24N80P | IPA60R450E6 | IXFH30N60Q
History: IXFH24N80P | IPA60R450E6 | IXFH30N60Q
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