PD632BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PD632BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PD632BA

PD632BA Datasheet (PDF)

..1. Size:441K unikc
pd632ba.pdf

PD632BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.7m @VGS = 10V30V 105ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C105IDContinuous Drain Current2TC= 100 C66AIDM200Pulsed Drain Curre

..2. Size:207K niko-sem
pd632ba.pdf

PD632BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 3.7m 105A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C

Otros transistores... P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , 2N7000 , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: