Справочник MOSFET. PD632BA

 

PD632BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD632BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD632BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD632BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  unikc
 pd632ba.pdf pdf_icon

PD632BA

PD632BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID3.7m @VGS = 10V30V 105ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 30 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC= 25 C105IDContinuous Drain Current2TC= 100 C66AIDM200Pulsed Drain Curre

 ..2. Size:207K  niko-sem
 pd632ba.pdf pdf_icon

PD632BA

PD632BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 3.7m 105A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C

Другие MOSFET... P0550ETF , P0550ETFS , P057AAT , PZC502FYB , PZD502CMA , PZD502CYB , PT530BA , PT542BA , IRLB4132 , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , PD504BA , PD506BA , PD510BA .

History: SUM110N04-05H | 2SK1011 | VBZE40N06 | LP2301ALT1G | AON7548

 

 
Back to Top

 


 
.