PD504BA Todos los transistores

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PD504BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PD504BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 46 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 110 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 68 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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PD504BA Datasheet (PDF)

1.1. pd504ba.pdf Size:518K _unikc

PD504BA
PD504BA

PD504BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85mΩ @VGS = 10V 110V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25 ° C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 ° C 9 A IDM 35 Pulsed Drain Current

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