PD504BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PD504BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PD504BA

PD504BA Datasheet (PDF)

..1. Size:518K unikc
pd504ba.pdf

PD504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V110V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 110 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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