PD504BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD504BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD504BA
PD504BA Datasheet (PDF)
pd504ba.pdf

PD504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V110V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 110 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current
Другие MOSFET... PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , IRFP450 , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA .
History: NTD20N06-001 | STB55NF03L-1
History: NTD20N06-001 | STB55NF03L-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003