Справочник MOSFET. PD504BA

 

PD504BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD504BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PD504BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD504BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  unikc
 pd504ba.pdf pdf_icon

PD504BA

PD504BAN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID85m @VGS = 10V110V 15ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 110 VVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C15IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C9AIDM35Pulsed Drain Current

Другие MOSFET... PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , P60NF06 , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA .

History: 40N15G-TA3-T | SE720 | 12N18 | STP8NM60FP | CS4N90F | SM1110NSA | CJS2013

 

 
Back to Top

 


 
.