PD504BA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PD504BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PD504BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PD504BA даташит
pd504ba.pdf
PD504BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 85m @VGS = 10V 110V 15A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 110 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 15 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 9 A IDM 35 Pulsed Drain Current
Другие MOSFET... PT530BA , PT542BA , PD632BA , PD636BA , PD648BA , PD696BA , PD6A8BA , PD485BA , AO4407 , PD506BA , PD510BA , PD516BA , PD517BA , PD533BA , PD537BA , PD548BA , PD570BA .
History: IPA60R600C6
History: IPA60R600C6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003

