P0690ATFS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0690ATFS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FS
Búsqueda de reemplazo de P0690ATFS MOSFET
P0690ATFS Datasheet (PDF)
p0690atf-s.pdf

P0690ATF / P0690ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.35 @VGS = 10V900V 6ATO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 900VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C6IDContinuous Drain Current2TC = 100 AC3.5IDM
Otros transistores... P0610BTF , P062ABD8 , P062ABDD , P062ABDF , P0660AS , P0660AT , P0660ATF , P0690ATF , IRFZ44N , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , P9006EDG , P9006EI , P9006EL .
History: PSMN2R0-60PS | HY3606B | OSG70R600DF | RJK0660DPA | 10N60G-T2Q-T | FDBL86366F085 | OSG70R600AF
History: PSMN2R0-60PS | HY3606B | OSG70R600DF | RJK0660DPA | 10N60G-T2Q-T | FDBL86366F085 | OSG70R600AF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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