P9006EL Todos los transistores

 

P9006EL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P9006EL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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P9006EL PDF Specs

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P9006EL

P9006EL P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = 10V -4A SOT- 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TA = 25 C -4 ID Continuous Drain Current1 TA = 100 C -2.7 A IDM -30 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current ... See More ⇒

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P9006EL

Spec. No. C733E3 Issued Date 2010.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP9006E3 ID -10A 95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 G Gate D Drain S Source... See More ⇒

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P9006EL

P9006EI P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = -10V -18A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C -18 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C -11 A IDM -50 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current ... See More ⇒

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P9006EL

P9006ESG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 90m @VGS = 10V -60V -18A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C -18 ID Continuous Drain Current TC = 100 C -12 A IDM -48 Pulsed Drain... See More ⇒

Otros transistores... P0690ATFS , P06B03LVG , P06P03LCG , P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , P9006EDG , P9006EI , IRFP460 , P9006ESG , P9006ETF , P9006EVG , P0703BD , P0703ED , P0703EV , P0765ATF , P0765GTF .

 

 
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