P9006EVG Todos los transistores

 

P9006EVG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P9006EVG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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P9006EVG PDF Specs

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P9006EVG

P9006EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = -10V -4.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) ( ) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C A -3.5 IDM -20 Pulsed Drain ... See More ⇒

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P9006EVG

P9006EVG P-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 90m @VGS = -10V -4.5A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) ( ) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C -4.5 ID Continuous Drain Current TA = 70 C A -3.5 IDM -20 Pulsed Drain ... See More ⇒

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P9006EVG

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P9006EVA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOP-8 Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 90m -3.6A -60V G GATE G D DRAIN S SOURCE 100% UIS Tested S 100% Rg Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Volta... See More ⇒

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P9006EVG

Spec. No. C733E3 Issued Date 2010.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP9006E3 ID -10A 95m Features RDSON(MAX) Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTP9006E3 G Gate D Drain S Source... See More ⇒

Otros transistores... P06P03LCGA , P06P03LDG , P06P03LVG , P9006EDG , P9006EI , P9006EL , P9006ESG , P9006ETF , IRF1404 , P0703BD , P0703ED , P0703EV , P0765ATF , P0765GTF , P0765GTFS , P0770EI , P0770EIS .

 

 
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