P0703ED Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0703ED  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 995 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO252

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P0703ED datasheet

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P0703ED

P0703ED P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -68A -30V TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 V TC= 25 C -68 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C -43 A IDM -160

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P0703ED

P0703EV P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = -10V -30V -15A SOP- 08 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage -30 V VGS Gate-Source Voltage 25 TA = 25 C -15 ID Continuous Drain Current TA = 70 C -11 A IDM -67 Pu

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P0703ED

P0703BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 7.5m @VGS = 10V 30V 57A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC= 25 C 57 ID Continuous Drain Current TC= 100 C 36 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

Otros transistores... P06P03LVG, P9006EDG, P9006EI, P9006EL, P9006ESG, P9006ETF, P9006EVG, P0703BD, 2N7002, P0703EV, P0765ATF, P0765GTF, P0765GTFS, P0770EI, P0770EIS, P0770ETF, P0770ETFS