P0770EI Todos los transistores

 

P0770EI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0770EI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

P0770EI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  unikc
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P0770EI

P0770EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:193K  niko-sem
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P0770EI

N-Channel Enhancement Mode P0770EINIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 1.5 7A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 700 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C 7

 0.1. Size:764K  unikc
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P0770EI

P0770EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.5 @VGS = 10V700V 7ATO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700 VVGSGate-Source Voltage 30 VTC= 25 C7IDContinuous Drain Current2TC= 100 C4.4AIDM20Pulsed Drain Cur

 8.1. Size:544K  unikc
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P0770EI

P0770ETF / P0770ETFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID1.4 @VGS = 10V700V 7ATO-220F TO-220FSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C7IDContinuous Drain Current2TC = 100 C4AIDM2

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History: STP45NE06FP | SML120B8

 

 
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