P0770EI - описание и поиск аналогов

 

P0770EI - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0770EI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для P0770EI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0770EI технические параметры

 ..1. Size:766K  unikc
p0770ei.pdfpdf_icon

P0770EI

P0770EI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 700V 7A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 4.4 A IDM 20 Pulsed Drain Current1

 ..2. Size:193K  niko-sem
p0770ei.pdfpdf_icon

P0770EI

N-Channel Enhancement Mode P0770EI NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 700V 1.5 7A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25 C 7

 0.1. Size:764K  unikc
p0770eis.pdfpdf_icon

P0770EI

P0770EIS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.5 @VGS = 10V 700V 7A TO-251(IS) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 V TC= 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC= 100 C 4.4 A IDM 20 Pulsed Drain Cur

 8.1. Size:544K  unikc
p0770etf-s.pdfpdf_icon

P0770EI

P0770ETF / P0770ETFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.4 @VGS = 10V 700V 7A TO-220F TO-220FS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 7 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM 2

Другие MOSFET... P9006ETF , P9006EVG , P0703BD , P0703ED , P0703EV , P0765ATF , P0765GTF , P0765GTFS , IRF3710 , P0770EIS , P0770ETF , P0770ETFS , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD .

 

 
Back to Top

 


 
.