P0804BD Todos los transistores

 

P0804BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0804BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de P0804BD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

P0804BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  unikc
 p0804bd.pdf pdf_icon

P0804BD

P0804BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8.5m @VGS = 10V40V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC35IDM100Pulsed Drain Current1

 0.1. Size:478K  unikc
 p0804bd8.pdf pdf_icon

P0804BD

P0804BD8N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 8m @VGS = 10V 62ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C62IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C39AIDM160Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:391K  unikc
 p0804bk.pdf pdf_icon

P0804BD

P0804BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V40V 30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C(Package Limited)30TC = 25 IDC(Silicon Limited)Continuous Drain Current 68T

 8.2. Size:393K  unikc
 p0804bvg.pdf pdf_icon

P0804BD

P0804BVGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V40V 12ASOP- 08100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC= 100 AC8IDM50Pulsed Dr

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P0770EI , P0770EIS , P0770ETF , P0770ETFS , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , AON7408 , P0804BD8 , P0804BK , P0804BVG , P0903BEA , P0903BIS , P0903BK , P0903BKA , P0903BKB .

History: NTMFS4C250N | STP4N52K3 | CJD04N60B | AO4404B | FKV660S | CJU05N60B | 2SK2607

 

 
Back to Top

 


 
.