P0804BK Todos los transistores

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P0804BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0804BK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 68 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 388 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0804BK

 

P0804BK Datasheet (PDF)

1.1. p0804bk.pdf Size:391K _unikc

P0804BK
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P0804BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8mΩ @VGS = 10V 40V 30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TC = 25 ° C(Package Limited) 30 TC = 25 ° ID C(Silicon Limited) Continuous Drain Current 68 T

4.1. p0804bd.pdf Size:617K _unikc

P0804BK
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P0804BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8.5mΩ @VGS = 10V 40V 50A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TC = 25 ° C 50 ID Continuous Drain Current TC = 100 ° A C 35 IDM 100 Pulsed Drain Current1

4.2. p0804bvg.pdf Size:393K _unikc

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P0804BVG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12mΩ @VGS = 10V 40V 12A SOP- 08 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25 ° C 12 ID Continuous Drain Current TC= 100 ° A C 8 IDM 50 Pulsed Dr

4.3. p0804bd8.pdf Size:478K _unikc

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P0804BD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 8mΩ @VGS = 10V 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ° C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage ±20 TC = 25 ° C 62 ID Continuous Drain Current TC = 100 ° C 39 A IDM 160 Pulsed Drain Current1

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