P0804BK Todos los transistores

 

P0804BK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P0804BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 388 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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P0804BK PDF Specs

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P0804BK

P0804BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8m @VGS = 10V 40V 30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C(Package Limited) 30 TC = 25 ID C(Silicon Limited) Continuous Drain Current 68 T... See More ⇒

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P0804BK

P0804BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 8.5m @VGS = 10V 40V 50A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 50 ID Continuous Drain Current TC = 100 A C 35 IDM 100 Pulsed Drain Current1... See More ⇒

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P0804BK

P0804BD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 8m @VGS = 10V 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 40 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 62 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 39 A IDM 160 Pulsed Drain Current1 ... See More ⇒

 8.3. Size:393K  unikc
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P0804BK

P0804BVG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 12m @VGS = 10V 40V 12A SOP- 08 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 12 ID Continuous Drain Current TC= 100 A C 8 IDM 50 Pulsed Dr... See More ⇒

Otros transistores... P0770ETF , P0770ETFS , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD , P0804BD8 , IRF9540 , P0804BVG , P0903BEA , P0903BIS , P0903BK , P0903BKA , P0903BKB , P0903BT , P0903BTG .

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