P0804BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: P0804BK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 388 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для P0804BK
P0804BK Datasheet (PDF)
p0804bk.pdf

P0804BKN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8m @VGS = 10V40V 30APDFN 5*6PABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C(Package Limited)30TC = 25 IDC(Silicon Limited)Continuous Drain Current 68T
p0804bd.pdf

P0804BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID8.5m @VGS = 10V40V 50ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C50IDContinuous Drain CurrentTC = 100 AC35IDM100Pulsed Drain Current1
p0804bd8.pdf

P0804BD8N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID40V 8m @VGS = 10V 62ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 40VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C62IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C39AIDM160Pulsed Drain Current1
p0804bvg.pdf

P0804BVGN-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID12m @VGS = 10V40V 12ASOP- 08100% UIS tested100% Rg testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C12IDContinuous Drain CurrentTC= 100 AC8IDM50Pulsed Dr
Другие MOSFET... P0770ETF , P0770ETFS , P0780ATF , P0780ATFS , P0803BDG , P0803BVG , P0804BD , P0804BD8 , K3569 , P0804BVG , P0903BEA , P0903BIS , P0903BK , P0903BKA , P0903BKB , P0903BT , P0903BTG .
History: QM3009K | RJK2017DPP | SL2308 | RW1C025ZP | APT60M80L2VFRG | AP62T03GH
History: QM3009K | RJK2017DPP | SL2308 | RW1C025ZP | APT60M80L2VFRG | AP62T03GH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047