P0910AS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0910AS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO263

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P0910AS datasheet

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P0910AS

P0910AS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 9.5m @VGS = 10V 100V 80A TO-263 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 80 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 50 A IDM 250 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 72

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P0910AS

P0910ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 9.5m @VGS = 10V 54A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 54 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 38 A IDM 150 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current

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P0910AS

P0910ATG N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 9.5m @VGS = 10V 89A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 89 ID Continuous Drain Current1 TC = 100 C 63 A IDM 250 Pulsed Drain Current2 IAS Avalanche Current 11

Otros transistores... P0903BKB, P0903BT, P0903BTG, P0903BV, P0903BVA, P0908AD, P0908AT, P0908ATF, P55NF06, P0910ATF, P0910ATG, P0920AD, P0920AT, P0920ATF, P0920BD, P0925AD, P0925BTF