P0910ATF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0910ATF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 217 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 205 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0910ATF
P0910ATF Datasheet (PDF)
p0910atf.pdf
P0910ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 9.5m @VGS = 10V 54ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C54IDContinuous Drain Current1TC = 100 C38AIDM150Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current
p0910atg.pdf
P0910ATGN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID100V 9.5m @VGS = 10V 89ATO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C89IDContinuous Drain Current1TC = 100 C63AIDM250Pulsed Drain Current2IASAvalanche Current 11
p0910as.pdf
P0910AS N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID9.5m @VGS = 10V100V 80A TO-263ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C80IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C50AIDM250Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 72
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Liste
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