P0920AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P0920AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 189 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P0920AT

P0920AT Datasheet (PDF)

..1. Size:334K unikc
p0920at.pdf

P0920ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

0.1. Size:460K unikc
p0920atf.pdf

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM22Pulsed Drain Curr

8.1. Size:355K unikc
p0920ad.pdf

P0920ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

9.1. Size:506K unikc
p0920bd.pdf

P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM31Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 9EAS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: