P0920AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0920AT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 189 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для P0920AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0920AT даташит

 ..1. Size:334K  unikc
 p0920at.pdf pdf_icon

P0920AT

P0920AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E

 0.1. Size:460K  unikc
 p0920atf.pdf pdf_icon

P0920AT

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 22 Pulsed Drain Curr

 8.1. Size:355K  unikc
 p0920ad.pdf pdf_icon

P0920AT

P0920AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E

 9.1. Size:506K  unikc
 p0920bd.pdf pdf_icon

P0920AT

P0920BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5 A IDM 31 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 9 EAS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... P0903BVA, P0908AD, P0908AT, P0908ATF, P0910AS, P0910ATF, P0910ATG, P0920AD, 20N50, P0920ATF, P0920BD, P0925AD, P0925BTF, P092ABD, P0950ETF, P0950ETFS, P0990AU