P0920AT - описание и поиск аналогов

 

P0920AT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0920AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 189 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для P0920AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0920AT технические параметры

 ..1. Size:334K  unikc
p0920at.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E

 0.1. Size:460K  unikc
p0920atf.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 200 V VGS Gate-Source Voltage 20 TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 22 Pulsed Drain Curr

 8.1. Size:355K  unikc
p0920ad.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920AD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 200V 0.42 @VGS = 10V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5.8 A IDM 36 Pulsed Drain Current1, 2 IAS Avalanche Current 9 E

 9.1. Size:506K  unikc
p0920bd.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 0.42 @VGS = 10V 200V 9A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 9 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 5 A IDM 31 Pulsed Drain Current1 IAS Avalanche Current 9 EAS

Другие MOSFET... P0903BVA , P0908AD , P0908AT , P0908ATF , P0910AS , P0910ATF , P0910ATG , P0920AD , 5N65 , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU .

 

 
Back to Top

 


 
.