Справочник MOSFET. P0920AT

 

P0920AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0920AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 189 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

P0920AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  unikc
p0920at.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 0.1. Size:460K  unikc
p0920atf.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 200VVGSGate-Source Voltage 20TC = 25 C9IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM22Pulsed Drain Curr

 8.1. Size:355K  unikc
p0920ad.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920ADN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID200V 0.42 @VGS = 10V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5.8AIDM36Pulsed Drain Current1, 2IASAvalanche Current 9E

 9.1. Size:506K  unikc
p0920bd.pdfpdf_icon

P0920AT

P0920BDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID0.42 @VGS = 10V200V 9ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVGSGate-Source Voltage 20 VTC = 25 C9IDContinuous Drain CurrentTC = 100 C5AIDM31Pulsed Drain Current1IASAvalanche Current 9EAS

Другие MOSFET... P0903BVA , P0908AD , P0908AT , P0908ATF , P0910AS , P0910ATF , P0910ATG , P0920AD , 4N60 , P0920ATF , P0920BD , P0925AD , P0925BTF , P092ABD , P0950ETF , P0950ETFS , P0990AU .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.